• 0 głosów - średnia: 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
Podzespoły komputerowe: pamięć operacyjna.
#1
Podzespoły komputerowe
PAMIĘĆ OPERACYJNA

Pamięć komputerowa jest adresowana i dostępna bezpośrednio przez procesor, a nie za pośrednictwem urządzeń wejścia-wyjścia. W pamięci tej mogą być umieszczane rozkazy procesora (program) dostępne bezpośrednio dla jego jednostek wykonawczych i stąd też nazwa – pamięć operacyjna. Często pamięć operacyjna jest utożsamiana z pamięcią RAM, choć jest to zawężenie znaczenia tego pojęcia. Pamięcią operacyjną jest też pamięć nieulotna (ROM, EPROM i inne jej odmiany) dostępna bezpośrednio przez procesor, a dawniej również pamięć o dostępie cyklicznym. Obecnie pamięci operacyjne są wyłącznie pamięciami elektronicznymi, a głównym jej rodzajem jest pamięć RAM wykorzystywana przez komputer do przechowywania programu i przetwarzania danych podczas jego pracy.

[Obrazek: Bez-tytułu-3.png]
Pamięć RAM Kingston HyperX Fury

DDR4

DDR4 SDRAM (ang. Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory (version 4) stanowi standard pamięci operacyjnej typu SDRAM, będący następcą pamięci DDR, DDR2 i DDR3.
Pamięć DDR4 stosuje napięcia 1,2 V w porównaniu z 1,5 V dla DDR3, 1,8 V dla DDR2 i 2,5 V dla DDR. Na skutek tego pamięć DDR4 pobiera o około 20% mniej mocy  w stosunku do pamięci DDR3 oraz ma większą przepustowość w porównaniu do DDR3, DDR2 i DDR. Pamięci DDR4 nie są kompatybilne wstecz, tzn. nie współpracują z chipsetami obsługującymi DDR, DDR2 i DDR3. Pamięci DDR4 powoli wypierają stary standard DDR3 i obejmują coraz większy udział na rynku – obecnie można je spotkać w nowych komputerach z procesorami AMD i Intel.

[Obrazek: Bez-tytułu-10.png]
Corsair Vengeance LPX 4x 4 GB 2800 MHz CL16

Co DDR4 ma wspólnego z DDR3?

-Double Data Rate – dwa transfery w cyklu zegara - Moduł DDR4 jest podłączony do 64-bitowej magistrali, podobnie jak DDR3. Skoro szerokość magistrali i liczba transferów w cyklu zegara są takie same w DDR3 i DDR4, to przy takim samym taktowaniu magistrali przepustowość obu rodzajów pamięci jest jednakowa. W materiałach reklamowych najczęściej porównuje się pamięć DDR3 z szybciej taktowaną DDR4. „Do 50% wyższą przepustowość” można osiągnąć tylko przy wzroście częstotliwości taktowania magistrali pamięci o 50%

-8n Prefetch – pobranie ośmiu słów z wyprzedzeniem - Magistrala pamięci DDR3 i DDR4 pracuje znacznie szybciej, niż może pracować sama pamięć DRAM. W czasie jednego cyklu zegara taktującego komórki pamięci kość odczytuje nie jedno słowo spod otrzymanego adresu, ale osiem kolejnych począwszy od tego adresu. W tym samym czasie mijają cztery cykle zegara na magistrali pamięci, co odpowiada ośmiu transferom. Tych osiem transferów wypełnia się danymi z bufora, a w tym czasie komórki pamięci przygotowują następne dane.Dzięki zwiększeniu bufora w DDR3 można było zbudować moduł o dwa razy szybszej magistrali i dwa razy większej przepustowości z tak samo taktowanych komórek pamięci. Skoro w DDR4 bufor pobrania jest taki sam jak w DDR3, to oznacza, że przyspieszanie magistrali do planowanych 3200 MT/s (1600 MHz) będzie musiało iść w parze z przyspieszeniem samych komórek pamięci.
Różnice pomiędzy DDR4 i DDR3

- Nowy kształt modułu pamięci - Moduł DDR4 jest takiej samej długości i grubości co DDR3; jest za to o mniej więcej milimetr wyższy. Zamiast 240 pól kontaktowych ma ich 284, gęściej rozmieszczone. Choć sygnałów jest tylko o kilka więcej, dodatkowe 44 styki to głównie pola zwarte do masy, oddzielające od siebie linie sygnałowe w celu redukcji zakłóceń. Krawędź modułu jest nie prosta, ale schodkowa – chodzi o to, żeby przy wciskaniu modułu do gniazda trzeba było pokonać opór tylko połowy sprężynowych styków. Oczywiście, zmieniło się też położenie wcięcia i odpowiadającego mu klucza w gnieździe DDR4, tak by nie dało się włożyć do gniazda niekompatybilnego modułu.

- Gęstość do 16 Gb - Najpojemniejsze kości DDR4 mieszczą 16 Gb, co umożliwia zbudowanie 32-gigabajtowego modułu do komputerów biurkowych, 64-gigabajtowego modułu RDIMM albo 256-gigabajtowego modułu LR DIMM.

- Więcej banków - Wewnętrzna organizacja kości pamięci została zmieniona: ta sama pojemność jest podzielona na więcej banków, czyli autonomicznych grup komórek pamięci. Oddzielne banki mogą niezależnie wykonywać różne operacje, a dostęp do banków można przeplatać. Dzięki temu, kiedy jeden bank czeka na przykład na aktywowanie rzędu komórek, można odczytywać dane z innego banku. To pozwala wypełnić więcej cykli zegara użytecznymi danymi, a mniej zużyć na czekanie, kiedy potrzeba danych po trochu z różnych miejsc w pamięci. Maksymalna przepustowość szybszych wersji DDR4 ma być wypełniona właśnie transferami z różnych banków.

- Sygnałowanie POD zamiast SSTL - Dla zmniejszenia strat energii zmieniono typ sygnałowania na liniach danych. W DDR3 i poprzednich było toSSTL; w DDR4 zmieniono je na POD, co pozwala pozbyć się niepożądanego upływu prądu po stronie pamięci.Sygnałowanie POD zmniejsza zatem koszt energetyczny komunikacji między kontrolerem a pamięcią. To jedna z technik umożliwiających przyspieszanie magistrali pamięci bez zwiększania poboru energii.
 
 
GDDR5

To typ pamięci RAM przeznaczony dla kart graficznych, następca pamięci GDDR3 (producent firma Qimonda zrezygnowała z produkcji GDDR4 z powodu niewielkich różnic wydajności pomiędzy nimi a GDDR3), charakteryzuje się trzykrotnie wyższą wydajnością niż pamięci GDDR3, około 2011 roku pamięci GDDR5 zajęły pozycję pamięci GDDR3. Pamięci GDDR5 są obecne na rynku kart graficznych od ponad dziewięciu lat, bowiem zadebiutowały w 2008 roku, aby kilka tygodniu później można było je znaleźć w Radeonie HD 4870. Obecnie większość kart graficznych korzysta z modułów GDDR5, które trafiają zarówno do konstrukcji high-endowych (GeForce GTX 1070, AMD Radeon RX 580), jak również bardzo tanich modeli przeznaczonych przede wszystkim do pracy biurowej oraz multimedialnej (Radeon HD 7730, GeForce GT 640 Rev.2). Takie kości zagościły także w konsoli Sony PlayStation 4, co przytacza się jako główną przewagę nad konkurencyjnym Xbox One z DDR3.

[Obrazek: Bez-tytułu-9.png]
Karta graficzna Gigabyte Radeon RX 580
 
GDDR6

Pamięci GDDR6 mają być następcami pamięci GDDR5 – początkowo mają zaoferowaćone przepustowość na poziomie 14 Gb/s, ale później może ona wzrosnąć nawet do 16 Gb/s. Dla porównania moduły GDDR5 oferują przepustowość 8 Gb/s, natomiast GDDR5X jak na razie 10 Gb/s (później ma ona wzrosnąć nawet do 14-16 Gb/s). Najprawdopodobniej zaoferują wysoką wydajność przy jednoczesnym obniżeniu poboru energii elektrycznej. Pozwoli to stosować węższe magistrale przy wyższych taktowaniach, co oznacza niższe koszty wytwarzania kart graficznych. Zainteresowanych licencjonowaniem GDDR6 jest już wielu znaczących graczy na rynku IT, m.in. Intel, Nvidia, Cisco czy Qualcomm. Mówi się, że efektywne taktowanie GDDR6 będzie wynosić co najmniej 7 GHz.
XDR2

XDR DRAM jest pamięcią o wysokiej wydajności. XDR został zaprojektowany, aby zapewnić najwyższą wydajność urządzeń w nią wyposażonych. Został w nim wyeliminowany problem dużych opóźnień. Pamięć XDR jest wykorzystywana w konsoli Sony PlayStation 3.Nowa generacja kości pamięci, XDR 2, może pracować pięciokrotnie szybciej niż układy GDDR3. Tak zapewnił producent XDR 2, firmA Rambus. Istotnie, częstotliwość pracy tych układów jest imponująca, wynosi bowiem aż 8 GHz, podczas gdy układy GDDR3 pracują z prędkością 1,6 GHZ. XDR®2 DRAM jest wydajny, energooszczędny , zoptymalizowany do aplikacji potrzebujących wysokiej przepustowości jak gaming i grafika. Z początkową przepustowością 9.6-12.8Gbps, jedno czterobitowe urządzenie zapewnia 51.2GB/s przepustowości. Mapa drogowa rozszerza się do 20Gbps, co daje 80GB/s przepustowości na jedno urządzenie.

Moduły pamięci RAM

[Obrazek: 15-4.png]

DIP (ang. Dual In-line Package), w elektronice rodzaj obudowy elementów elektronicznych, głównie układów scalonych o małej i średniej skali integracji, a także elementów takich jak transoptory, optotriaki. Wyprowadzenia elementu umieszczone są w równej linii na dwóch dłuższych bokach prostokątnej obudowy.

[Obrazek: 16-4.png]

SIPP (z ang. Single Inline Pin Package), moduł pamięci komputerowej, którego złączem był jeden rząd pinów. Składał się z małej płytki drukowanej, na której zamontowano układy pamięci. Złącze miało 30 pinów ułożonych w jednym rzędzie wzdłuż krawędzi płytki, które łączyły się otworkami w płycie głównej komputera.

[Obrazek: 14-3.png]

SIMM (z ang. Single Inline Memory Module), moduł pamięci RAM komputerów w postaci płytki drukowanej z polami stykowymi znajdującymi się z jednej strony płytki. Jest to następna po SIPP generacja modułów pamięci DRAM. Zostały zastąpione przez moduły z polami stykowymi po obu stronach płytki oznaczanych przez DIMM.

[Obrazek: 13-3.png]

DIMM (ang. Dual In-Line Memory Module), szereg standardów modułów pamięci RAM, w których styki złącza krawędziowego modułu znajdują się po obu stronach płytki drukowanej. Wcześniej stosowane moduły miały styki tylko z jednej strony i były oznaczane jako SIMM.

[Obrazek: 12-3.png]

SDR SDRAM -(ang. Single Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory), chronologicznie i technologicznie najwcześniejsza odmiana pamięci SDRAM. Przedrostek SDR (Single Data Rate) oznacza, że dane przesyłane są przy każdym narastającym zboczu sygnału zegarowego (w odróżnieniu od DDR w których przesył danych 
odbywa się przy narastającym i opadającym zboczu sygnału zegarowego).

[Obrazek: 11-4.png]

RIMM (ang. Rambus Inline Memory Module), rodzaj modułów pamięci komputerowej, na których umieszczone są układy scalone z pamięciami typu RDRAM. Moduły RIMM pojawiły się w 1996 roku na mocy umów patentowych pomiędzy firmami Rambus i Intel. Najpopularniejsze kości typu RIMM: 160-pinowe, stosowane SO-RIMM, 184- pinowe, stosowane RIMM 16-bitowe, 232-pinowa, stosowane RIMM 32-bitowe, 326-pinowa, stosowane RIMM 64-bitowe.

Pamięć Cache

SRAM (ang. Static Random Access Memory), statyczna pamięć o dostępie swobodnym – typ pamięci półprzewodnikowej stosowanej w komputerach, służy jako pamięć buforująca między pamięcią operacyjną i procesorem. Słowo "statyczna" oznacza, że pamięć SRAM przechowuje dane tak długo, jak długo włączone jest zasilanie, w odróżnieniu od pamięci typu DRAM, która wymaga okresowego odświeżania. Każdy bit przechowywany jest w pamięci SRAM w układzie zbudowanym z czterech tranzystorów, które tworzą przerzutnik, oraz z dwóch tranzystorów sterujących. Taka struktura umożliwia znacznie szybsze odczytanie bitu niż w pamięci typu DRAM, oraz w przeciwieństwie do pamięci DRAM nie wymaga odświeżania. Pamięci SRAM wykorzystywane są w szybkich pamięciach podręcznych cache, gdyż nie wymagają one dużych pojemności (gęstość danych w SRAM jest 4 razy mniejsza niż w DRAM), ale prędkość dostępu jest około 7 razy szybsza od DRAM (1 cykl SRAM wynosi około 10 ns, natomiast w DRAM około 70 ns). Szybkość ta dotyczy dostępu swobodnego (czyli kolejne odczytywane dane są ulokowane pod różnymi adresami), w przypadku odczytu danych z sąsiednich komórek adresowych szybkość pamięci SRAM i DRAM jest jednak porównywalna.
 
  Odpowiedz
#2
зажи49.9BettBettRaelKjelLikeЧернСтарErnsBrotDartВелиCherКитаСодеWoodАртиначаOptiгазеrderWalt
стихДворWhatHermSilvInteCaudМартWindLemoфранчастМакаSensКитанезаStefEmilmicrтелеViveRighDiad
VeinJeanRonaImmaXLIIPrayТимоВскоГолуDramWindElegCarlШестЮДонAlaiAndrSeveВульМодесертАртиучил
EtniпастAnthSimsFishDreaгражWindAwakWindЗалеSonyHardAlonRHIAPolaTonyлюбвBlokCA26(ИМЭJeanVict
GardValiSoftArtsRHINунивучасApplПетрIrviShonAlexWallBurkClifOkamTimoVIIIiPodDawnWortПарфThom
ThomBonhкороSonyБарсTraiClimBekoNeedDaveYasuSpikЕськИталстра8978Тишк9051BELLLanzхоропсихfunk
GardфишкКороHoddКитаBussWindWindPinnкласLEGORedmfrieBataBoziЛитРWorlЛитРHomoОрлоMamaЕремСтре
ЛитРДанк(190(190пансАльбинстKindMarkotosЩербDschГороBrisOrdeMikhКудрSideRidlBremМатвПавлАлек
КуцамелеавтокласVolkМареродиуменавтоБаже1962RogeSoldзанинеблКрупскучEvenцеляYourSwimSonySony
SonyСафуSabiШерсЛапиBariгазевопрKlauнастWannХинчсочиtuchkasТрухКузн
  Odpowiedz
#3
инфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфо
инфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфо
инфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфо
инфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинйоинфоинфоинфоинфоинфо
инфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфо
инфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфо
инфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфо
инфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфо
инфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфо
инфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоинфоtuchkasинфоинфо
  Odpowiedz
#4
Econ
  Odpowiedz
#5
54.8
  Odpowiedz
#6
Bett
  Odpowiedz
#7
Bett
  Odpowiedz
#8
Comp
  Odpowiedz
#9
Jewe
  Odpowiedz
#10
What
  Odpowiedz


Skocz do:


Użytkownicy przeglądający ten wątek: 1 gości